韩国科学家使用埋葬式光子晶体增大LED发光

2018-08-15 21:54 作者:产业新闻 来源:ag环亚娱乐平台

  韩国科学家使用埋葬式光子晶体增大LED发光

  韩国科学家日前表明,在制作光子晶体LED时,深深根植的硅晶格是关键所在,它在进步光提取功率的一起坚持电子特性。将LED光子晶体的方位从上置换到有源层之下,这样能够不献身光提取优势就能下降晶体位错。
以上是来自三星以及韩国光州科学技术院研讨人员的严重发现,他们将此宣布在本年6月26日的Applied Physics Letters论文上。他们在LED的n-GaN层上制备硅氧光子晶体晶格,佛山投入3亿元加强LED路途照明建造。这种办法比一般的p-GaN层要高超,避免了来自等离子刻蚀的损坏。与没有成长光子晶体晶格的LED比较,新的办法下降了位错,取光功率得到提高,两种优势导致外量子(EQE)进步了70%。

  用PL法测量出新产品的内量子功率和出光功率别离进步了17%和45%。两个300×300μm器材的电发光输出比光子晶体LED光输出(驱动电流是20mA时)高出了33%。据悉,IQE是遭到n-GaN和MQW层的螺旋复原反响以及边型线位错的影响,晶体质量的提高减小了光子晶体中常见的漏电流;在不下降电功能的前提下,明显提高了埋葬式光子晶体LED的出光功率。
在蓝宝石衬底上,韩国研讨团队在2μm的n-GaN层上成长了一个130nm的硅氧层;用全息刻蚀法在该层上刻蚀出光子晶体,由此生成了直径在130-230nm范围内的柱状结构。这个刻蚀进程是选用常用的等离子干式刻蚀法,但p-GaN层会遭到等离子损害,经证明它会穿透整个器材影响到多量子阱(MQW)层,继而下降LED的功能。而在MQW成长之前选用全息刻蚀的办法看上去能够奇妙地处理这个难题。

  更厚的n-GaN层比起稍薄的p-GaN层来说,愈加合适刻蚀有抱负尺度的光子晶体而不损坏LED的功能。一起,将硅氧层放低到外延结构的基层,其效果类似于侧向外延(ELOG)法中的硅光栅用来生成高质量GaN晶体层。

  

来历:LED芯片